TekBox TBMDA4B Amplificateur de puissance modulé

L'amplificateur de puissance large bande modulé TekBox TBMDA4B est conçu pour créer une source de signal économique pour les tests d'immunité des blocs de construction électroniques et des produits. Il est conçu pour être piloté par la sortie du générateur de suivi des analyseurs de spectre. Avec une plage de puissance d'entrée de -20 dBm à -10 dBm, il peut augmenter la puissance de sortie d'un générateur de suivi jusqu'à 5W. Avec une plage de fréquences de 100 kHz à 75 MHz, il constitue un complément idéal au TBMDA3, qui couvre de 10 MHz à 1 GHz.

Le TBMDA4B est idéal pour piloter les sondes de champ proche de Tekbox afin de trouver le point sensible d'un circuit électronique ou de créer des champs électriques allant jusqu'à 550V/m lors du pilotage de la cellule TEM TBTC0 de Tekbox, 300V/m lors du pilotage du TBTC1, 150V/m lors du pilotage du TBTC2 ou 100V/m lors du pilotage du TBTC3. Les signaux de test pour les tests d'immunité peuvent être modulés en CW, AM ou PM. Par conséquent, le TBMDA4B offre une capacité de modulation intégrée pour générer des signaux AM ou PM de 1 kHz. En mode PM, le TBMDA4B peut également générer un signal à 217 Hz avec un cycle de service de 12,5% pour simuler le bruit TDMA des téléphones mobiles.

Caractéristiques :

• Amplificateur CW (modulation désactivée)
• Modulation AM à 1 kHz, 80%
• Modulation par impulsion à 1 kHz, cycle de service de 50%
• Modulation par impulsion à 217 Hz, cycle de service de 12.5%

Spécifications :

• Entrée / Sortie: 50 Ohms, N femelle
• Plage de tension d'alimentation : 110 V…240 V
• Consommation électrique : 20 W
• Plage de température de fonctionnement : -20°C à 50°C
• Plage de fréquence : 100 kHz – 75 MHz
• Puissance de sortie saturée @ 100 kHz / Pin = -10 dBm : 36.6 dBm (4.6W) typ.
• Puissance de sortie saturée @ 1 MHz / Pin = -10 dBm : 37.6 dBm (5.8W) typ.
• Puissance de sortie saturée @ 10 MHz / Pin = -10 dBm : 37.6 dBm (5.8W) typ.
• Puissance de sortie saturée @ 35 MHz / Pin = -10 dBm : 37.1 dBm (5.1W) typ.
• Puissance de sortie saturée @ 75 MHz / Pin = -10 dBm : 36.6 dBm (4.6W) typ.
• Puissance de sortie saturée @ 100 MHz / Pin = -10 dBm : 31.6 dBm (1.4W) typ.
• Point de compression de sortie à 1 dB @ 1 MHz : +35.7 dBm typ.
• Point de compression de sortie à 1 dB @ 35 MHz : +34.8 dBm typ.
• Point de compression de sortie à 1 dB @ 75 MHz : +34.1 dBm typ.
• 2ème harmonique, 35 MHz, Pout=36dBm : < – 18 dBc typ.
• 2ème harmonique, 35 MHz, Pout=30dBm : < – 21 dBc typ.
• 3ème harmonique, 35 MHz, Pout=36dBm : < – 19 dBc typ.
• 3ème harmonique, 35 MHz, Pout=30dBm : < – 35 dBc typ.
• Distorsion harmonique totale :
• 5.9% @ 35 MHz, Pout=27dBm typ.
• 8.4% @ 35 MHz, Pout=30 dBm typ.
• 12.3% @ 35 MHz, Pout=33 dBm typ.
• 18.1% @ 35 MHz, Pout=36 dBm typ.
• Point d'interception du troisième ordre :
• +53 dBm, @ 25 MHz, ∆ f = 200kHz typ.
• Facteur de bruit : @ 35 MHz : 7.2 dB
• Fréquence de modulation interne AM : 1 kHz ±20%
• Fréquences de modulation interne PM : 1 kHz ±10%, 217 Hz ±20%
• Cycle de service, PM : 50% ±10% @ 1 kHz ; 12.5% ±20% @ 217 Hz

Application :

• Amplificateur de puissance polyvalent
• Source de signal pour les tests d'immunité, pilotage de sondes de champ proche
• Source de signal pour les tests d'immunité, pilotage de cellules TEM

AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE RF MODULÉS